|
Справочник  Справочник ООО Витан
| |
Прайс-лист фирмы: ООО Витан  (последнее обновление 14-09-2015)
Товаров: 5940
Страница 76 показано с 3751 по 3800
|
|
| |
Наименование товара
|
Цена
|
|
GP30M;Заказ;Xuyang;Диод, 3А, 1000В, DO201AD;1250;2,05;шт
|
руб.
|
|
GP30M;Заказ;Xuyang;Диод, 3А, 1000В, DO201AD;1250;2,05;шт
|
руб.
|
|
H100057;700;Littelfuse;CLIP FUSE 15A VERT ATO PC MOUNT;100;15;шт
|
руб.
|
|
H100057;700;Littelfuse;CLIP FUSE 15A VERT ATO PC MOUNT;100;15;шт
|
руб.
|
|
H2-09PTT;700;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 9pin H2-09PTT;100;15,5;шт
|
руб.
|
|
H2-09PTT;700;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 9pin H2-09PTT;100;15,5;шт
|
руб.
|
|
H2-25PTT;Заказ;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 25pin H2-25PTT;50;59;шт
|
руб.
|
|
H2-25PTT;Заказ;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 25pin H2-25PTT;50;59;шт
|
руб.
|
|
H2-37PTT;Заказ;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 37pin H2-37PTT;50;27,1;шт
|
руб.
|
|
H2-37PTT;Заказ;HSM;Корпус к разьёму D-SUB 37pin H2-37PTT;50;27,1;шт
|
руб.
|
|
HU-02 Terminal;12000;Taiwan;Железки к HU-02;9000;0,11;шт
|
руб.
|
|
HU-02 Terminal;12000;Taiwan;Железки к HU-02;9000;0,11;шт
|
руб.
|
|
HU-02 с проводами;Заказ;Taiwan;Разъём низковольтного питания,шаг 2,54мм.с проводами 170мм.;1000;4,16;шт
|
руб.
|
|
HU-02 с проводами;Заказ;Taiwan;Разъём низковольтного питания,шаг 2,54мм.с проводами 170мм.;1000;4,16;шт
|
руб.
|
|
HU-02;2000;Taiwan;Разъём низковольтного питания,шаг 2,54мм.;1000;0,13;шт
|
руб.
|
|
HU-02;2000;Taiwan;Разъём низковольтного питания,шаг 2,54мм.;1000;0,13;шт
|
руб.
|
|
IMC1008ERR56J (560 нГн, 5%, 310 мА);Заказ;Vishay;Индуктивность SMD, 1008, 560 нГн, 5%, 310 мА;2000;4,1;шт
|
руб.
|
|
IMC1008ERR56J (560 нГн, 5%, 310 мА);Заказ;Vishay;Индуктивность SMD, 1008, 560 нГн, 5%, 310 мА;2000;4,1;шт
|
руб.
|
|
IP4220CZ6;Заказ;NXP;Dual USB 2.0 integrated ESD protection, корпус SOT457;3000;2,4;шт
|
руб.
|
|
IP4220CZ6;Заказ;NXP;Dual USB 2.0 integrated ESD protection, корпус SOT457;3000;2,4;шт
|
руб.
|
|
IR2104;Заказ;IR;HALF-BRIDGE DRIVER;1000;25;шт
|
руб.
|
|
IR2104;Заказ;IR;HALF-BRIDGE DRIVER;1000;25;шт
|
руб.
|
|
IRF1010N;Заказ;IR;MOSFET транзистор, N-канал, Uси 55В, Iс 72 А, Rси 11 мОм, корпус ТО-220;50;19;шт
|
руб.
|
|
IRF1010N;Заказ;IR;MOSFET транзистор, N-канал, Uси 55В, Iс 72 А, Rси 11 мОм, корпус ТО-220;50;19;шт
|
руб.
|
|
IRF1404;Заказ;IR;Транзистор, MOSFET, N-канал, 40В, 162 А, 4 мОм, TO-220AB.;50;29,5;шт
|
руб.
|
|
IRF1404;Заказ;IR;Транзистор, MOSFET, N-канал, 40В, 162 А, 4 мОм, TO-220AB.;50;29,5;шт
|
руб.
|
|
IRF3205;Заказ;IR;Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A, Корпус TO-220AB.;50;17,1;шт
|
руб.
|
|
IRF3205;Заказ;IR;Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A, Корпус TO-220AB.;50;17,1;шт
|
руб.
|
|
IRF5305 ;Заказ;IR;-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, корпус TO-220AB;50;17,5;шт
|
руб.
|
|
IRF5305 ;Заказ;IR;-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, корпус TO-220AB;50;17,5;шт
|
руб.
|
|
IRF640;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канальный, 200 В, 18 А. корпус TO-220.;50;35;шт
|
руб.
|
|
IRF640;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канальный, 200 В, 18 А. корпус TO-220.;50;35;шт
|
руб.
|
|
IRF640N;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канальный, 200 В, 18 А. корпус TO-220.;50;35;шт
|
руб.
|
|
IRF640N;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канальный, 200 В, 18 А. корпус TO-220.;50;35;шт
|
руб.
|
|
IRF7314 ;Заказ;IR;MOSFET, DUAL P, Uси 20 В, Iс 5.3 А, Rси(вкл) 58...98 мОм, Uзатв(ном) 2.7...4.5 В, Uзатв(макс) 12 В, Корпус SO8;4000;7,7;шт
|
руб.
|
|
IRF7314 ;Заказ;IR;MOSFET, DUAL P, Uси 20 В, Iс 5.3 А, Rси(вкл) 58...98 мОм, Uзатв(ном) 2.7...4.5 В, Uзатв(макс) 12 В, Корпус SO8;4000;7,7;шт
|
руб.
|
|
IRF7343PВF ;Заказ;IR;Полевой транзистор сдвоенный P-N канал, 55V. 4.7A. -3.4A, Корпус SO-8;500;12,6;шт
|
руб.
|
|
IRF7343PВF ;Заказ;IR;Полевой транзистор сдвоенный P-N канал, 55V. 4.7A. -3.4A, Корпус SO-8;500;12,6;шт
|
руб.
|
|
IRF740;Заказ;Vish;Транзистор полевой, N-канальный, 400 В, 40 А. корпус TO-220.;50;15,5;шт
|
руб.
|
|
IRF740;Заказ;Vish;Транзистор полевой, N-канальный, 400 В, 40 А. корпус TO-220.;50;15,5;шт
|
руб.
|
|
IRF740S;Заказ;IR;Транзистор, 400V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, корпус D2-Pak;1000;22;шт
|
руб.
|
|
IRF740S;Заказ;IR;Транзистор, 400V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, корпус D2-Pak;1000;22;шт
|
руб.
|
|
IRF7416;Заказ;IR;Транзистор MOSFET, PCh -30V, -10A, 20mOhm, 61nC, корпус SO-8;4000;12,4;шт
|
руб.
|
|
IRF7416;Заказ;IR;Транзистор MOSFET, PCh -30V, -10A, 20mOhm, 61nC, корпус SO-8;4000;12,4;шт
|
руб.
|
|
IRFBC40;Заказ;IR;6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power. MOSFET, Корпус-TO-220-3;50;20;шт
|
руб.
|
|
IRFBC40;Заказ;IR;6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power. MOSFET, Корпус-TO-220-3;50;20;шт
|
руб.
|
|
IRFIBC30G;Заказ;Vish;Транзистор, Power MOSFET, TO-220;50;15;шт
|
руб.
|
|
IRFIBC30G;Заказ;Vish;Транзистор, Power MOSFET, TO-220;50;15;шт
|
руб.
|
|
IRFL110;Заказ;IR;MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, корпус SOT223;2500;15;шт
|
руб.
|
|
IRFL110;Заказ;IR;MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, корпус SOT223;2500;15;шт
|
руб.
|
Прайс-лист фирмы: ООО Витан (последнее обновление 14-09-2015)
Страницы:
«
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
»
1-15
16-30
31-45
46-60
61-75
91-105
106-119
Предложение поставщикам: Добавить прайс-лист
|
|
Раздел: 
Добавить компанию
Юбилей СКБ ЭП - 35 лет: путь, который меняет отрасль! 35 лет СКБ ЭП – это десятки тысяч часов, проведённых за решением сложнейших задач — от первых аналоговых систем до современных цифровых
Новые разработки СКБ ЭП на МФЭС-2025! В период с 2 по 4 декабря 2025 года выставочный комплекс «Тимирязев центр» стал центром притяжения для специалистов энергетической отрасти: здесь прошел
Сделано СКБ ЭП: высокоточные шунты Компания СКБ ЭП выводит на рынок измерительные шунты собственного производства - SV75 и SV60. Изделия предназначены для расширения диапазона измерения приборов,
СКБ ЭП представила приборы в «День мастера» Тулэнерго — Россети Специалист компании СКБ ЭП продемонстрировал современные решения для диагностики энергетического оборудования. На прошлой неделе
СКБ ЭП приняли участие в Корпоративном дне презентаций ПАО "Россети Ленэнерго" 13 ноября 2025 года на базе учебного комплекса ПАО "Россети Ленэнерго" специалисты СКБ ЭП успешно представили передовые
