|
Справочник  Справочник ООО Витан
| |
Прайс-лист фирмы: ООО Витан  (последнее обновление 14-09-2015)
Товаров: 5940
Страница 68 показано с 3351 по 3400
|
|
| |
Наименование товара
|
Цена
|
|
1N5343B;Заказ;ON;7,5V, 5.0 W Zener Diode Voltage Regulator, Корпус DO201;1000;4,25;шт
|
руб.
|
|
1N5343B;Заказ;ON;7,5V, 5.0 W Zener Diode Voltage Regulator, Корпус DO201;1000;4,25;шт
|
руб.
|
|
1N5350B;2700;ON;13 V, 5.0 W Zener Diode Voltage Regulator, Корпус DO201;1000;4,27;шт
|
руб.
|
|
1N5350B;2700;ON;13 V, 5.0 W Zener Diode Voltage Regulator, Корпус DO201;1000;4,27;шт
|
руб.
|
|
1N5404;Заказ;Taiwan;Диод, 3А,400В, Корпус-DO-27;500;1,52;шт
|
руб.
|
|
1N5404;Заказ;Taiwan;Диод, 3А,400В, Корпус-DO-27;500;1,52;шт
|
руб.
|
|
1N5408;Заказ;Taiwan;Диод, 3А,1000В, Корпус-DO-27;500;1,6;шт
|
руб.
|
|
1N5408;Заказ;Taiwan;Диод, 3А,1000В, Корпус-DO-27;500;1,6;шт
|
руб.
|
|
1N5819;1000;Taiwan;Диод, 1A, 40V, SCHOTTKY, Корпус DO-41;1000;0,83;шт
|
руб.
|
|
1N5819;1000;Taiwan;Диод, 1A, 40V, SCHOTTKY, Корпус DO-41;1000;0,83;шт
|
руб.
|
|
1N5822;Заказ;Taiwan;Диод, 3A 40V., Корпус DO-27;200;3,3;шт
|
руб.
|
|
1N5822;Заказ;Taiwan;Диод, 3A 40V., Корпус DO-27;200;3,3;шт
|
руб.
|
|
1SMB5927;Заказ;Taiwan;3.0 W, 12V, Surface Mount Silicon Zener Diode, Корпус SMB/DO-214AA;3000;2,47;шт
|
руб.
|
|
1SMB5927;Заказ;Taiwan;3.0 W, 12V, Surface Mount Silicon Zener Diode, Корпус SMB/DO-214AA;3000;2,47;шт
|
руб.
|
|
1НТ251А1;Заказ;Rus;Сборка транзисторная;100;70;шт
|
руб.
|
|
1НТ251А1;Заказ;Rus;Сборка транзисторная;100;70;шт
|
руб.
|
|
2220 22 мкГн 480 мА 430 МОм (NLC565050T-220K-PF) ;Заказ;TDK;Индуктивность смд, 22 мкГн 480 мА 430 МОм;400;14,6;шт
|
руб.
|
|
2220 22 мкГн 480 мА 430 МОм (NLC565050T-220K-PF) ;Заказ;TDK;Индуктивность смд, 22 мкГн 480 мА 430 МОм;400;14,6;шт
|
руб.
|
|
2N6110;1000;Taiwan;Транзистор N-P-N, 100В, 10А, 60Вт, 3Мгц, Корпус TO220;50;16;шт
|
руб.
|
|
2N6110;1000;Taiwan;Транзистор N-P-N, 100В, 10А, 60Вт, 3Мгц, Корпус TO220;50;16;шт
|
руб.
|
|
2N7002;Заказ;NXP;60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET, корпус SOT23;3000;0,58;шт
|
руб.
|
|
2N7002;Заказ;NXP;60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET, корпус SOT23;3000;0,58;шт
|
руб.
|
|
2SA1012Y;Заказ;Toshiba;Транзистор, TO-220,Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz;50;10;шт
|
руб.
|
|
2SA1012Y;Заказ;Toshiba;Транзистор, TO-220,Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz;50;10;шт
|
руб.
|
|
2SC1969;Заказ;Mitsubishi;Транзистор, NPN, 60В, 6А, корпус TO220;500;280;шт
|
руб.
|
|
2SC1969;Заказ;Mitsubishi;Транзистор, NPN, 60В, 6А, корпус TO220;500;280;шт
|
руб.
|
|
2SC2078;Заказ;Mitsubishi;Транзистор, NPN, 80В, 3А, корпус TO220;500;65;шт
|
руб.
|
|
2SC2078;Заказ;Mitsubishi;Транзистор, NPN, 80В, 3А, корпус TO220;500;65;шт
|
руб.
|
|
2SC3421;Заказ;Toshiba;Транзистор NPN, 120В, 100мА, корпус TO-126;100;45;шт
|
руб.
|
|
2SC3421;Заказ;Toshiba;Транзистор NPN, 120В, 100мА, корпус TO-126;100;45;шт
|
руб.
|
|
2SK1317;Заказ;RENESAS;"N-канал,Uси,В 1500, при 25 С Iси макс..А 2.5, Uзи макс.,В
|
±20. Rси вкл.,мОм руб.
|
|
2SK1317;Заказ;RENESAS;"N-канал,Uси,В 1500, при 25 С Iси макс..А 2.5, Uзи макс.,В
|
±20. Rси вкл.,мОм руб.
|
|
2SK1358;Заказ;Toshiba;N-канал,Uси,В 900,при 25 С Iси макс..А 9,Uзи макс.,В ±30,Rси вкл.,мОм 1400,Pси макс..Вт 150, S,мА/В 2000, Корпус TO3P(N), Порог. напр. на затворе 3.5;100;76;шт
|
руб.
|
|
2SK1358;Заказ;Toshiba;N-канал,Uси,В 900,при 25 С Iси макс..А 9,Uзи макс.,В ±30,Rси вкл.,мОм 1400,Pси макс..Вт 150, S,мА/В 2000, Корпус TO3P(N), Порог. напр. на затворе 3.5;100;76;шт
|
руб.
|
|
2SK2996;Заказ;Toshiba;N-Channel MOS Type (??MOSV), корпус SC-67 ;50;21;шт
|
руб.
|
|
2SK2996;Заказ;Toshiba;N-Channel MOS Type (??MOSV), корпус SC-67 ;50;21;шт
|
руб.
|
|
2А507А;2;Rus;СВЧ диод переключательный кремниевый, p-i-n ;100;550;шт
|
руб.
|
|
2А507А;2;Rus;СВЧ диод переключательный кремниевый, p-i-n ;100;550;шт
|
руб.
|
|
2С156А;Заказ;Rus;Стабилитрон кремниевый, 0,3Вт, 5,6В, стекло;100;55;шт
|
руб.
|
|
2С156А;Заказ;Rus;Стабилитрон кремниевый, 0,3Вт, 5,6В, стекло;100;55;шт
|
руб.
|
|
2С224Ж;Заказ;Rus;Стабилитрон, 0,15Вт, 24В, стекло;100;8,4;шт
|
руб.
|
|
2С224Ж;Заказ;Rus;Стабилитрон, 0,15Вт, 24В, стекло;100;8,4;шт
|
руб.
|
|
2С512А1;50;Rus;Стабилитрон, 1Вт, 12В, КД-3А;100;50;шт
|
руб.
|
|
2С512А1;50;Rus;Стабилитрон, 1Вт, 12В, КД-3А;100;50;шт
|
руб.
|
|
2Т808А;Заказ;Rus;Транзистор, P-N-P, 120В, 10А, 50Вт, 7,2Мгц, корпус КТ9;100;98;шт
|
руб.
|
|
2Т808А;Заказ;Rus;Транзистор, P-N-P, 120В, 10А, 50Вт, 7,2Мгц, корпус КТ9;100;98;шт
|
руб.
|
|
2Т830В;Заказ;Rus;Транзистор, P-N-P, 80В, 2А, 5Вт, 4Мгц, корпус TO3;100;55;шт
|
руб.
|
|
2Т830В;Заказ;Rus;Транзистор, P-N-P, 80В, 2А, 5Вт, 4Мгц, корпус TO3;100;55;шт
|
руб.
|
|
2Т831В;Заказ;Rus;Транзистор n-p-n, Iк макс.2А, h21э 25, 4МГц, 5Вт, корпус КТ27;100;56;шт
|
руб.
|
|
2Т831В;Заказ;Rus;Транзистор n-p-n, Iк макс.2А, h21э 25, 4МГц, 5Вт, корпус КТ27;100;56;шт
|
руб.
|
Прайс-лист фирмы: ООО Витан (последнее обновление 14-09-2015)
Страницы:
«
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
»
1-15
16-30
31-45
46-60
76-90
91-105
106-119
Предложение поставщикам: Добавить прайс-лист
|
|
Раздел: 
Добавить компанию
Юбилей СКБ ЭП - 35 лет: путь, который меняет отрасль! 35 лет СКБ ЭП – это десятки тысяч часов, проведённых за решением сложнейших задач — от первых аналоговых систем до современных цифровых
Новые разработки СКБ ЭП на МФЭС-2025! В период с 2 по 4 декабря 2025 года выставочный комплекс «Тимирязев центр» стал центром притяжения для специалистов энергетической отрасти: здесь прошел
Сделано СКБ ЭП: высокоточные шунты Компания СКБ ЭП выводит на рынок измерительные шунты собственного производства - SV75 и SV60. Изделия предназначены для расширения диапазона измерения приборов,
СКБ ЭП представила приборы в «День мастера» Тулэнерго — Россети Специалист компании СКБ ЭП продемонстрировал современные решения для диагностики энергетического оборудования. На прошлой неделе
СКБ ЭП приняли участие в Корпоративном дне презентаций ПАО "Россети Ленэнерго" 13 ноября 2025 года на базе учебного комплекса ПАО "Россети Ленэнерго" специалисты СКБ ЭП успешно представили передовые
